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NP70N04MUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
8
V GS = 10 V
10000
C iss
I D = 35 A
6
C oss
4
1000
C rss
2
V GS = 0 V
0
Pulsed
100
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
V DS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
<R>
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
V DD = 20 V
35
14
V GS = 10 V
30
12
100
t d(on)
t d(off)
t f
R G = 0 Ω
25
20
V DD = 32 V
20 V
8V
10
8
15
6
10
1
t r
10
5
0
V DS
V GS
I D = 70 A
4
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
1000
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
100
V GS = 10 V
0V
10
10
1
0.1
Pulsed
1
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18664EJ4V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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